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當(dāng)前位置:首頁(yè)技術(shù)文章普泰克芯片溫度控制工作原理
晶體管開(kāi)關(guān)損耗芯片內(nèi)部由數(shù)十億個(gè)晶體管組成,每次開(kāi)關(guān)(邏輯狀態(tài)翻轉(zhuǎn))時(shí)會(huì)因電流流過(guò)電阻產(chǎn)生焦耳熱(P=I2R),高頻工作時(shí)損耗顯著增加。
漏電功耗晶體管非理想狀態(tài)下的漏電流(如亞閾值漏電、柵極漏電)會(huì)導(dǎo)致持續(xù)發(fā)熱,尤其在先進(jìn)制程(如 5nm 以下)中更為明顯。
負(fù)載不均熱點(diǎn)芯片不同區(qū)域(如運(yùn)算單元、緩存)負(fù)載差異大,可能形成局部高溫區(qū)域(“熱點(diǎn)")。
片上溫度傳感器(TSensor)芯片內(nèi)部集成熱敏二極管或電阻,通過(guò)檢測(cè)電壓 / 電阻變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度(精度可達(dá) ±1℃)。例如,CPU 的 DTS(Digital Thermal Sensor)可直接向主板發(fā)送溫度信號(hào)。
外部傳感器在散熱器、機(jī)箱等位置部署熱電偶或紅外傳感器,監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度輔助控制。
動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)根據(jù)溫度動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)芯片電壓和頻率:
高溫時(shí):降低頻率(如從 5GHz 降至 4GHz)、降低電壓(如從 1.3V 降至 1.1V),減少功耗。
低溫時(shí):提升性能以充分利用硬件。
功耗墻與溫度閾值設(shè)定安全溫度上限(如 CPU 通常為 90~100℃),超過(guò)時(shí)觸發(fā) ** 降頻(Throttling)** 或強(qiáng)制風(fēng)扇全速運(yùn)轉(zhuǎn)。
任務(wù)調(diào)度優(yōu)化操作系統(tǒng)或驅(qū)動(dòng)程序?qū)⒏哓?fù)載任務(wù)分配至溫度較低的核心,避免單核心過(guò)熱(如 CPU 的負(fù)載均衡算法)。
導(dǎo)熱設(shè)計(jì)
熱界面材料(TIM):填充芯片與散熱器間的空隙(如硅脂、焊錫、石墨烯片),降低熱阻。
熱管 / 均熱板(VC):利用相變?cè)恚ㄒ后w蒸發(fā)→氣體冷凝)快速傳導(dǎo)熱量,常見(jiàn)于筆記本電腦和顯卡。
散熱片鋁或銅制鰭片增大表面積,通過(guò)空氣自然對(duì)流散熱(無(wú)風(fēng)扇),適用于低功耗設(shè)備(如嵌入式芯片)。
風(fēng)扇強(qiáng)制對(duì)流搭配散熱片使用,風(fēng)扇加速空氣流動(dòng)帶走熱量。智能風(fēng)扇控制可根據(jù)溫度調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速(如 PWM 調(diào)速)。
液冷散熱
水冷循環(huán)系統(tǒng):通過(guò)泵驅(qū)動(dòng)冷卻液(水或油)流經(jīng)芯片表面的冷頭,吸收熱量后經(jīng)換熱器( radiator )散發(fā)。
浸沒(méi)式液冷:芯片直接浸入不導(dǎo)電的氟化液中,利用液體沸騰相變高效散熱,用于數(shù)據(jù)中心 GPU 集群。
半導(dǎo)體制冷片(TEC)基于帕爾貼效應(yīng),通電后一側(cè)吸熱、另一側(cè)放熱,常用于小型設(shè)備(如迷你 PC)或高精度溫控場(chǎng)景(如科學(xué)儀器)。
壓縮機(jī)制冷類(lèi)似空調(diào)原理,通過(guò)制冷劑循環(huán)實(shí)現(xiàn)低溫環(huán)境,用于需求(如超算芯片的零下低溫測(cè)試)。
3D 集成與異構(gòu)散熱堆疊芯片(如 Chiplet 架構(gòu))通過(guò)硅通孔(TSV)直接傳導(dǎo)熱量,減少層間熱阻。
仿生散熱與新材料模仿生物血管的微流道散熱結(jié)構(gòu)、碳納米管 / 金剛石等超材料提升熱導(dǎo)率。
AI 預(yù)測(cè)性溫控利用機(jī)器學(xué)習(xí)提前預(yù)測(cè)芯片負(fù)載和溫度變化,優(yōu)化散熱資源分配(如提前啟動(dòng)風(fēng)扇)。
能量回收技術(shù)將芯片廢熱通過(guò)溫差發(fā)電(TEG)轉(zhuǎn)化為電能,提升系統(tǒng)能效。
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