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主要應(yīng)用1消費(fèi)電子領(lǐng)域:在計(jì)算機(jī)與移動(dòng)設(shè)備中,如Intel的數(shù)字熱傳感器(DTS)、AMD的溫度監(jiān)控模塊(TMU),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)CPU/GPU核心溫度,聯(lián)動(dòng)主板BIOS或操作系統(tǒng)觸發(fā)動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整、風(fēng)扇啟停或降頻保護(hù)。在智能手機(jī)與可穿戴設(shè)備中,集成于SoC的溫度傳感器監(jiān)測(cè)處理器、電池溫度,觸發(fā)屏幕亮度調(diào)節(jié)、后臺(tái)進(jìn)程限制等。工業(yè)與制造領(lǐng)域:在自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備里,監(jiān)測(cè)數(shù)控機(jī)床的主軸電機(jī)、伺服驅(qū)動(dòng)器溫度,以及工業(yè)爐窯與反應(yīng)釜內(nèi)的溫度,調(diào)節(jié)燃料供給或熱源功率。在通信與數(shù)據(jù)中心,部署于服務(wù)...
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六、前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)非接觸式動(dòng)態(tài)測(cè)溫:激光誘導(dǎo)熒光(LIF)技術(shù):通過芯片表面熒光粉溫度-波長(zhǎng)特性,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)結(jié)溫(精度±1℃);紅外熱成像+AI算法:結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)芯片熱點(diǎn)分布,縮短測(cè)試時(shí)間(傳統(tǒng)方法需2小時(shí),AI優(yōu)化后多物理場(chǎng)耦合測(cè)試:溫度+電場(chǎng)+濕度聯(lián)合測(cè)試:模擬海洋環(huán)境下器件腐蝕失效(如沿海地區(qū)基站芯片需通過85℃/85%RH+偏壓測(cè)試);溫度+振動(dòng)復(fù)合應(yīng)力:汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙內(nèi)器件需通過-40℃~+150℃+20G振動(dòng)測(cè)試(ISO16750標(biāo)準(zhǔn))。原位測(cè)試...
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四、典型應(yīng)用場(chǎng)景1.半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試汽車電子芯片:在-40℃~+125℃下測(cè)試MCU的時(shí)鐘穩(wěn)定性(如英飛凌AURIX系列芯片需通過AEC-Q100認(rèn)證);功率器件:IGBT在高溫(+175℃)下的導(dǎo)通電阻變化測(cè)試,評(píng)估熱失控風(fēng)險(xiǎn)。2.先進(jìn)材料與器件研發(fā)量子比特芯片:在液氦溫度(-269℃)下測(cè)試超導(dǎo)量子干涉器(SQUID)的量子隧穿效應(yīng);寬禁帶半導(dǎo)體:SiCMOSFET在+200℃下的擊穿電壓測(cè)試(傳統(tǒng)Si器件僅能承受+150℃)。3.MEMS與傳感器測(cè)試壓力傳感器:在-...
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溫控芯片(TemperatureControlChip)是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)溫度監(jiān)測(cè)與調(diào)節(jié)的核心器件,廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)定溫度環(huán)境的電子設(shè)備、工業(yè)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用場(chǎng)景及功能解析:一、消費(fèi)電子領(lǐng)域1.計(jì)算機(jī)與移動(dòng)設(shè)備CPU/GPU溫度管理典型芯片:Intel的數(shù)字熱傳感器(DTS)、AMD的溫度監(jiān)控模塊(TMU)。功能:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片核心溫度,聯(lián)動(dòng)主板BIOS或操作系統(tǒng)(如Windows的電源管理)觸發(fā)動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)整(DVFS)、風(fēng)扇啟?;蚪殿l保護(hù),防止過熱導(dǎo)致的性能...
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芯片溫度控制是保障芯片穩(wěn)定運(yùn)行和使用壽命的關(guān)鍵技術(shù),其工作原理涉及熱量產(chǎn)生機(jī)制、溫度感知與反饋、散熱與制冷技術(shù)的協(xié)同作用。以下是具體解析:一、芯片熱量產(chǎn)生的根源芯片(如CPU、GPU、AI芯片等)的熱量主要來源于半導(dǎo)體器件的功耗,具體包括:晶體管開關(guān)損耗芯片內(nèi)部由數(shù)十億個(gè)晶體管組成,每次開關(guān)(邏輯狀態(tài)翻轉(zhuǎn))時(shí)會(huì)因電流流過電阻產(chǎn)生焦耳熱(P=I2R),高頻工作時(shí)損耗顯著增加。漏電功耗晶體管非理想狀態(tài)下的漏電流(如亞閾值漏電、柵極漏電)會(huì)導(dǎo)致持續(xù)發(fā)熱,尤其在先進(jìn)制程(如5nm以下...
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半導(dǎo)體晶圓測(cè)試半導(dǎo)體晶圓測(cè)試(WaferTesting)是半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),指在晶圓(未切割成獨(dú)立芯片的硅片)階段對(duì)其上的每個(gè)芯片(Die)進(jìn)行電氣性能、功能和可靠性測(cè)試,以篩選出不合格芯片,避免后續(xù)封裝和測(cè)試的成本浪費(fèi)。該環(huán)節(jié)通常位于晶圓制造(Fabrication)之后、芯片封裝(Packaging)之前,是提升良率、控制成本的核心步驟。一、測(cè)試目的與意義核心目標(biāo)篩選不良芯片:在晶圓階段提前檢測(cè)出短路、開路、參數(shù)異常等缺陷,降低封裝和成品測(cè)試的損耗。工藝監(jiān)控:通...
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高低溫測(cè)試機(jī)高低溫測(cè)試機(jī)(又稱高低溫試驗(yàn)箱、高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱)是一種用于模擬和控制高低溫環(huán)境,測(cè)試材料、零部件或整機(jī)在溫度條件下性能穩(wěn)定性的設(shè)備。廣泛應(yīng)用于電子、汽車、航空航天、化工、家電等行業(yè),用于檢測(cè)產(chǎn)品的耐溫性、可靠性和環(huán)境適應(yīng)性。一、主要功能與應(yīng)用場(chǎng)景核心功能模擬高低溫環(huán)境:可在設(shè)定范圍內(nèi)(如-70℃~+150℃)精準(zhǔn)控制溫度,支持恒定溫度測(cè)試或溫度循環(huán)(交變)測(cè)試。濕度控制(部分機(jī)型):部分設(shè)備可同時(shí)控制濕度(如20%~98%RH),模擬高溫高濕、低溫低濕等復(fù)雜...
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在當(dāng)今高度集成化的電子設(shè)備領(lǐng)域,芯片、模塊、集成電路板以及各類電子元器件的性能和穩(wěn)定性對(duì)于整個(gè)電子系統(tǒng)的運(yùn)行至關(guān)重要。而溫度作為影響這些電子元件工作的關(guān)鍵因素,氣體制冷機(jī)憑借其精確且快速調(diào)節(jié)環(huán)境溫度的能力,成為了保障電子設(shè)備正常運(yùn)行的得力助手。芯片作為電子設(shè)備的核心部件,其內(nèi)部復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)對(duì)溫度極為敏感。在高頻、高速的運(yùn)行狀態(tài)下,芯片會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。若不能及時(shí)有效地散熱和精準(zhǔn)控制溫度,性能將會(huì)急劇下降,甚至可能因過熱而損壞。氣體制冷機(jī)通過制冷劑的循環(huán)流動(dòng),快速帶走芯片周圍...
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